SI5442DU-T1-GE3 دیتاشیت

SI5442DU-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI5442DU-T1-GE3
حجم فایل 98.089 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت SI5442DU-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI5442DU-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3.1W;31W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 45nC@8V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1700pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 25A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 900mV@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 10mΩ@4.5V,8A
  • Package: SMD
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه